RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | RN2106(T5L,F,T) |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | SSM |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Leistung - max | 100 mW |
Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 200 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
Grundproduktnummer | RN2106 |
RN2106(T5L,F,T) Einzelheiten PDF [English] | RN2106(T5L,F,T) PDF - EN.pdf |
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
TOSHIBA SOT723
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2106(TE85L,F) TOSHIBA
RN2106MFV TOSHIBA
AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=2.2K, Q1BER
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RN2106(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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